Samsung ha presentado en Future of Memory and Storage 2026 una nueva generación de memoria y almacenamiento orientada a centros de datos de inteligencia artificial. La propuesta más llamativa es zHBM, una arquitectura que coloca la memoria de gran ancho de banda directamente sobre el acelerador en vez de situarla a su lado dentro del mismo módulo.
La compañía acompaña esa idea con V10 BV-NAND, una evolución de su memoria flash vertical con más de 400 capas, zNAND-O para cargas de baja latencia en el borde y LPDDR5X-PIM, que incorpora capacidad de procesamiento en la propia memoria. Son conceptos y hojas de ruta para infraestructura profesional, no nuevos módulos DDR5 para el PC doméstico.
zHBM: acortar el camino entre memoria y cálculo
En los aceleradores actuales, varios apilamientos HBM suelen rodear al procesador sobre un interposer. Esa disposición proporciona un bus muy ancho, pero el crecimiento del sistema está limitado por el área disponible, la longitud de las conexiones y el calor. zHBM propone llevar el apilamiento encima del chip de cálculo mediante técnicas avanzadas de unión entre obleas.
Según las cifras mostradas por Samsung, el diseño podría ofrecer hasta ocho veces más rendimiento, superar en más de diez veces la densidad de HBM5 y triplicar la eficiencia energética. Esas magnitudes describen el objetivo de la arquitectura; no son resultados de un producto comercial que pueda comprarse hoy ni una comparación independiente realizada en aplicaciones reales.
La ganancia potencial nace de mover más datos a menos distancia. Los modelos de IA dedican buena parte de su tiempo y energía a trasladar pesos, activaciones y cachés entre memoria y unidades de cálculo. Apilar ambos componentes permite aumentar la densidad de conexiones, aunque complica el encapsulado, la refrigeración, las pruebas y el rendimiento de fabricación.
V10 BV-NAND y almacenamiento para la inferencia
Samsung también ha enseñado V10 BV-NAND, que separa la matriz de celdas y la lógica periférica para fabricarlas y unirlas mediante wafer bonding. La estructura supera las 400 capas y la empresa estima una densidad aproximadamente un 58 % mayor que en V9, además de mejoras en lectura, escritura y operaciones de entrada y salida.
El salto importa para almacenar modelos, bases vectoriales y cachés de contexto cerca de los servidores de inferencia. zNAND-O persigue otro equilibrio, con menor latencia y más operaciones por segundo para entornos de IA en el borde. LPDDR5X-PIM, por su parte, procesa determinadas operaciones dentro de la memoria para reducir desplazamientos de datos y consumo.
Estas tecnologías forman parte de una estrategia más amplia. Samsung ya describía en su presentación para inversores la transición hacia BV-NAND, múltiples uniones y más apilamientos después de V10. La keynote de FMS concreta ahora ese itinerario alrededor de una infraestructura de IA centrada en memoria, con DRAM, flash, controladores, fabricación y encapsulado avanzado bajo un mismo proveedor.
Qué cambia —y qué no— para el usuario
El anuncio no implica una bajada inmediata del precio de la RAM o los SSD. De hecho, llega mientras la capacidad productiva se desplaza hacia componentes de alto margen para IA. UktusNas ya explicó que Samsung espera que la escasez de memoria empeore en 2027 y se prolongue hasta 2028, un contexto que separa cada vez más el mercado de servidores del consumo.
A medio plazo, la tecnología de unión y el aumento de densidad pueden filtrarse a SSD empresariales y, más adelante, a unidades de cliente. Pero los plazos dependen de costes y tasas de fabricación. La situación reciente de los SSD que han multiplicado su precio durante 2026 recuerda que una arquitectura más densa no garantiza por sí sola disponibilidad ni productos asequibles.
Quedan por confirmar las fechas de muestreo, clientes, capacidades, consumo medido y producción en volumen de zHBM, zNAND-O y LPDDR5X-PIM. La presentación marca una dirección técnica creíble, pero todavía no una ficha comercial. Hasta que Samsung publique especificaciones finales, conviene interpretar las cifras como metas de diseño anunciadas por el fabricante.
